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使用顺序沉积-蚀刻-处理加工的氧化硅和氮化硅的自底向上生长制造技术
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下载使用顺序沉积-蚀刻-处理加工的氧化硅和氮化硅的自底向上生长的技术资料
文档序号:19781751
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描述了用于高深宽比特征的间隙填充的方法。将第一膜沉积在特征的底部和上部侧壁上。从所述特征的所述侧壁蚀刻所述第一膜,并且处理在所述特征的所述底壁中的所述第一膜以形成第二膜。重复所述沉积工艺、所述蚀刻工艺和所述处理工艺以填充所述特征。...
该专利属于应用材料公司所有,仅供学习研究参考,未经过应用材料公司授权不得商用。
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