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在根据本公开的实施例的半导体器件的制造方法中，在衬底上形成包括交替层叠的层间绝缘层和层间牺牲层的层叠结构。在衬底上形成穿过层叠结构的沟槽。在沟槽的侧壁上形成晶体状衬垫绝缘层。在晶体状衬垫绝缘层上形成铁电绝缘层和沟道层。选择性地去除层间牺牲层...
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