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一种通过刻蚀锰参杂氢氧化镍制备超薄多孔硒化镍纳米片阵列的方法，本发明涉及超级电容器电极材料技术领域。本发明要解决现有过渡金属硒化物纳米片电极材料结构不合理，若为超薄的纳米片结构，则无法具备多孔性，影响离子迁移率和可接触活性位点；若为多孔结构...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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