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本发明公开了一种直流电沉积制备锡纳米线的方法，属于电子材料领域。该方法首先以纳米多孔聚碳酸酯膜或阳极氧化铝膜(AAO)为模板，通过磁控溅射的方法在模板底部溅射银种子层，并在通孔底端以铜为底板，然后采用直流电镀方式从种子层底端向通孔内填充锡纳...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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