【技术实现步骤摘要】
一种通孔电沉积制备锡纳米线的方法
本专利技术涉及微电子组装和封装及电子元器件的互连
,具体涉及一种通孔电沉积制备锡纳米线的方法。
技术介绍
纳米材料的合成和表征在过去的二十年间取得了巨大的进步,诸如纳米线、纳米棒、纳米管、纳米复合材料等特殊的纳米结构都已被人熟知。这些材料已经通过自组装和定向组装成功地得到了合成和表征。但是,纳米材料在工业制造领域的更广泛应用还远未成熟。大规模制造的一个主要障碍是纳米材料之间的互连形成。特别是对于纳米电子学中的应用、纳米机电系统(NEMS)和纳米光子学,形成具有良好机械、热学和电学性能的牢固互连是关键要求之一。在用于功能器件形成牢固的互连方法中,焊接应该是最具有广泛应用的方法之一,众多研究表明,纳米焊料粒子的纳米级焊接具有非常高的可操作性,可以从实验设计的角度实现材料在纳米尺度的互连。焊料是金属或低熔点金属合金,它们可以形成具有高热稳定性电气和机械互连结构,焊接的一个主要应用是将电子元件组装到印刷电路板(PCB)或印刷线路板(PWB)上。使用最广泛的焊料是熔点为183℃的共晶锡/铅(Sn/Pb)焊料。由于环境问题,含铅焊料正在 ...
【技术保护点】
1.一种直流电沉积制备锡纳米线的方法,其特征在于:该方法是采用直流电沉积法,在多孔模板的纳米级孔洞中制备出锡纳米线;制备过程中通过控制电流大小和/或沉积时间来控制纳米线的长度。
【技术特征摘要】
1.一种直流电沉积制备锡纳米线的方法,其特征在于:该方法是采用直流电沉积法,在多孔模板的纳米级孔洞中制备出锡纳米线;制备过程中通过控制电流大小和/或沉积时间来控制纳米线的长度。2.根据权利要求1所述的直流电沉积制备锡纳米线的方法,其特征在于:该方法首先在多孔模板的底部制备银种子层,然后以银种子层为阴极,纯锡为阳极,采用直流电沉积的方法从模板底部的银种子层开始向上逐步填充,最终生长为锡纳米线。3.根据权利要求1所述的直流电沉积制备锡纳米线的方法,其特征在于:所述多孔模板为在阳极氧化铝模板或聚碳酸酯模板。4.根据权利要求1所述的直流电沉积制备锡纳米线的方法,其特征在于:所述银种子层的制备过程为:在多孔模板的一个表面上(模板底面)通过磁控溅射的方法制备银种子层,磁控溅射过程中,功率为40~80KW,溅射时间10~30min;所制备的银种子层厚度为300~1000nm。5.根据权利要求1所述的直流电沉积制备锡纳米线的方法,其特征在于:所述直流电沉积过程中所用电沉积液的制备过程包括如下步骤:(1)甲烷磺酸镀液的制备:取1~10g明胶加入装有100~200mL去离子水的烧杯中,覆盖保鲜膜后置于磁力搅拌器上,在60~70℃条件下进行搅拌,直至明胶完全溶解成淡黄色液体,获得明胶溶液;(2)取50~100ml去离子水加入另一烧杯中,用量筒量取50~100mL甲烷磺酸,搅拌状态下将甲烷磺酸缓缓滴入去离子水中,搅拌均匀后得到甲烷磺酸溶液;(3)在第三只烧杯中添加10~30ml去离...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘志权,孟智超,吴迪,
申请(专利权)人:中国科学院金属研究所,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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