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本发明公开了一种GaN HEMT器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成器件本体，所述器件本体按自下而上的顺序依次包括第一GaN层、AlGaN层、第二GaN层和介质层；在器件本体中形成栅极凹进，所述栅极凹进穿过介质层、第二GaN层并延伸...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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