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本发明提出了制备人工晶体的方法。涉及人工晶体领域，具体地，涉及人工晶体的制备方法。该方法包括：S1：提供包括光学区和外围区的人工晶体粗胚，所述光学区具有上光学面和下光学面，所述外围区环绕所述光学区；S2：在所述人工晶体粗胚表面覆盖保护膜，使...
该专利属于东莞东阳光科研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞东阳光科研发有限公司授权不得商用。

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