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本发明公开了一种高温下高储能密度和高充放电效率的电容器薄膜制备方法，通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面先后沉积高介电常数层和高绝缘性能薄层。利用高介电常数层具有高介电常数的特点，以提高薄膜的等效介电常数，从而提高其能量密度。利用...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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