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本发明公开了一种顺序进入和退出低功耗状态的SRAM控制电路及其方法，所述电路包括：轻度睡眠外设、深度睡眠外设以及静态存储阵列分别分为若干部分；第一控制模块，用于在经由轻度睡眠控制信号LS生成的第一控制信号Ctrl0的控制下经由多个延时单元生...
该专利属于孤山电子科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过孤山电子科技（上海）有限公司授权不得商用。

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