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一种半导体结构,其包括一半导体层,该半导体层的厚度为1~100纳米,所述半导体层包括一第一表面及与第一表面相对的第二表面;一碳纳米管,该碳纳米管设置于半导体层的第一表面;一导电膜,该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面,使半导体层...该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构,其包括一半导体层,该半导体层的厚度为1~100纳米,所述半导体层包括一第一表面及与第一表面相对的第二表面;一碳纳米管,该碳纳米管设置于半导体层的第一表面;一导电膜,该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面,使半导体层...