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本发明涉及一种半导体装置和制造所述装置的方法，所述半导体装置包括在衬底中的具有第一导电性的埋层，其中可选择两个邻近末端之间的距离以实现所要的击穿电压。具有第二导电类型的第一掺杂浓度的深阱注入所述埋层的所述两个邻近末端上方的外延层中。图案化掺...
该专利属于恩智浦美国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩智浦美国有限公司授权不得商用。

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