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一种半导体结构，包含栅极、栅绝缘层、通道层、保护层、以及源极与漏极。栅极设置于基底上。栅绝缘层设置于栅极上，且具有凹部。通道层设置于凹部内。保护层覆盖通道层及栅绝缘层上，保护层的材料包含氧化铝、氧化硅或氮化硅，且保护层的厚度小于20纳米。源...
该专利属于友达光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。

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