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本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异...
该专利属于中智（泰兴）电力科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中智（泰兴）电力科技有限公司授权不得商用。

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