温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型涉及区熔提纯高纯锗晶体材料的容器。为双层石英舟，双层石英之间抽真空处理，然后填充石墨层，石英舟后端设置一个挡板，将石英舟后端隔离出一个杂质收集槽，杂质收集槽为单层石英结构，挡板上还设置了凹槽。产生的熔区比传统的加热环与线圈所产生的...该专利属于云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司授权不得商用。