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本发明提供一种Ta‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Ta‑Sb‑Te相变材料包括钽、锑、碲三种元素，所述Ta‑Sb‑Te相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，3≤x≤15，50≤y≤70，25≤z≤35，且x+y+...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明提供一种Ta‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Ta‑Sb‑Te相变材料包括钽、锑、碲三种元素，所述Ta‑Sb‑Te相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，3≤x≤15，50≤y≤70，25≤z≤35，且x+y+...