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本发明涉及一种带有电荷平衡结构的沟槽栅场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。采用了本发明的制造方法，在N‑EPI内埋下一层N‑埋区和P‑埋区，N‑埋区主要用于降低通路电阻，P‑埋区用于辅助N‑埋区在关断状态下的耗尽，从而形成电荷平衡...
该专利属于张帅;黄昕所有，仅供学习研究参考，未经过张帅;黄昕授权不得商用。

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