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本发明属于半导体薄膜材料制备领域，更具体地，涉及一种金属掺杂二硫化钼薄膜材料的制备方法。将含有硫源、钼源和待掺杂金属元素的混合溶液涂覆在基片上，在真空条件下，采用激光照射涂覆有所述混合溶液的基片表面，制备得到金属掺杂的二硫化钼薄膜。本发明的...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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