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本发明公开了一种薄膜电池铜铟镓硒合金靶材的制备方法，采用多室真空梯度液相合成技术，制备熔点、密度相当的In2Se3、Ga2Se3等中间化合物解决硒的挥发以及硒与其它元素充分合金化问题，再在同一梯度真空炉中合成制备铜铟镓硒四元化合物，然后将这...
该专利属于合肥甘来新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥甘来新材料有限公司授权不得商用。

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