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本文提供了一种方法，该方法包括将处理基材上的第一氧化物层结合至互补金属氧化物半导体(“CMOS”)上的第二氧化物层，其中熔融结合形成了包括隔膜的统一氧化物层，该隔膜覆盖了CMOS上的腔体。将处理基材去除，留下统一氧化物层。将压电膜堆叠体沉积...
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