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具有混合扩散间断隔离沟槽的金属氧化物半导体单元器件架构制造技术
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下载具有混合扩散间断隔离沟槽的金属氧化物半导体单元器件架构的技术资料
文档序号:19562814
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一种标准单元IC包括MOS器件的pMOS区(316)中的pMOS晶体管和该MOS器件的nMOS区(318)中的nMOS晶体管。该pMOS区和该nMOS区在第一单元边缘(304a)和第二单元边缘(304b)之间延伸。该标准单元IC进一步包括位...
该专利属于高通股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过高通股份有限公司授权不得商用。
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