温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体元件，包括基底、隔离结构、二极管元件以及第一金属层。隔离结构位于基底中。二极管元件位于隔离结构上，其中二极管元件包括P型掺杂区、N型掺杂区与本征区，且本征区位于P型掺杂区与N型掺杂区之间。位于二极管元件两端的P型掺杂区与...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。