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本发明涉及具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法，揭示一种包括至少一个鳍式场效应晶体管及至少一个单扩散中断(SDB)型隔离区的半导体结构，以及形成该半导体结构的方法。在该方法中，在半导体鳍片内的隔离区上方形成隔离凸块并在该凸块上形成侧间隙壁...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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