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本发明公开了一种沟槽栅超结器件，包括：场氧化层形成于有源区外的超结的顶部并隔离出有源区，沟槽栅的栅极沟槽形成于有源区中的超结的N型薄层表面，栅极沟槽还延伸到有源区边界外，栅极沟槽在所述场氧化层之前形成，栅介质层和多晶硅栅在场氧化层刻蚀之后形...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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