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一种氮化镓横向MIS-肖特基混合阳极二极管制造技术
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文档序号:19484104
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本发明属于半导体功率器件领域,特别涉及一种氮化镓横向MIS‑肖特基混合阳极二极管。本发明公开了一种基于具有变铝组分势垒层(Al0~0.50GaN)异质结的混合阳极二极管,具体结构是在GaN层上方生长一层薄的变铝组分Al0~0.50GaN层作...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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