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一种低电阻层状结构正交相MoO3‑x薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：利用真空蒸发法在衬底上形成薄膜；步骤2：将所述薄膜在大气气氛中进行第一步热处理；以及步骤3：将所述薄膜在氮气气氛中进行第二步热处理，完成制备。本发明具有制造工艺简便等...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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