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本发明公开了一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的制备方法，采用磁控溅射法制备，薄膜材料由10组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜。本发...
该专利属于江苏理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过江苏理工学院授权不得商用。

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