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本发明提供一种薄膜沉积方法,其包括:第一阶段,使基座位于第一工艺位置,向工艺腔室内通入工艺气体,并仅开启射频电源,以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜;第二阶段,使基座位于第二工艺位置,并开启直流电源,以使该薄膜达到目标厚度;其中,第一工艺位...该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种薄膜沉积方法,其包括:第一阶段,使基座位于第一工艺位置,向工艺腔室内通入工艺气体,并仅开启射频电源,以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜;第二阶段,使基座位于第二工艺位置,并开启直流电源,以使该薄膜达到目标厚度;其中,第一工艺位...