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本发明提供了一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法。该芯片具有“漏斗”样的凹陷阵列结构，所述漏斗样结构的上半部结构为梯形棱台，下半部结构为圆柱或长方体；该芯片的制备过程是先利用倾斜角曝光与垂直曝光两种软光刻技术得到具有漏斗样结构的模...
该专利属于中国科学院大连化学物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院大连化学物理研究所授权不得商用。

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