一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法。该芯片具有“漏斗”样的凹陷阵列结构，所述漏斗样结构的上半部结构为梯形棱台，下半部结构为圆柱或长方体；该芯片的制备过程是先利用倾斜角曝光与垂直曝光两种软光刻技术得到具有漏斗样结构的模板，再利用该模板制备出聚二甲基硅氧烷芯片，在利用软光刻进行紫外曝光的时候，采用两种曝光的方法分别制备漏斗样结构的上半部与下半部。本发明专利技术的芯片在接种细胞后，由于芯片内漏斗样凹陷顶部具有倾斜的侧壁，迫使细胞聚集在漏斗样凹陷的底部，进而聚集成细胞团或细胞球。

【技术实现步骤摘要】
一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法
本专利技术属于材料科学微制造工艺，具体涉及利用软光刻法制备一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法。
技术介绍
传统的2D单层细胞培养不能真实体现细胞在体内的生存环境，成为了体外细胞实验模拟生理状态难以逾越的鸿沟。相比而言，细胞3D培养技术则可以缩小体外实验和体内实验的差距，更好地体现仿生的思想，细胞成球培养就是3D培养的一种。另外，细胞聚集成球可以形成拟胚体，便于后续的诱导分化，用于体外病理、毒理研究和药物筛选等。目前已有的细胞成球培养方法主要有悬滴法，微流控液滴法和凹陷结构芯片成球法等。悬滴法这类操存在成球均一性差，通量低等问题，微流控的方法则存在操作复杂，细胞成活率低等问题。因此，凹陷结构芯片成球法仍是人们使用的主流方法。它兼备了成球的均一性和较好的细胞存活率等优势。然而，目前利用软光刻技术制备的具有凹陷结构的芯片大多具有垂直的凹陷侧壁，在一定程度上难以促进细胞聚集成团或球。为此，此专利技术在软光刻的基础上，利用两种曝光方法制备出具有“漏斗”样的模板，最后利用此模板制备具有漏斗样结构的凹陷细胞聚集培养芯片。
技术实现思路
本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片，其特征在于：该芯片具有“漏斗”样的凹陷阵列结构，所述漏斗样结构的上半部结构为梯形棱台，下半部结构为圆柱或长方体；该芯片的制备过程是先利用倾斜角曝光与垂直曝光两种软光刻技术得到具有漏斗样结构的模板，再利用该模板制备出聚二甲基硅氧烷芯片，在利用软光刻进行紫外曝光的时候，采用两种曝光的方法分别制备漏斗样结构的上半部与下半部。

【技术特征摘要】
1.一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片，其特征在于：该芯片具有“漏斗”样的凹陷阵列结构，所述漏斗样结构的上半部结构为梯形棱台，下半部结构为圆柱或长方体；该芯片的制备过程是先利用倾斜角曝光与垂直曝光两种软光刻技术得到具有漏斗样结构的模板，再利用该模板制备出聚二甲基硅氧烷芯片，在利用软光刻进行紫外曝光的时候，采用两种曝光的方法分别制备漏斗样结构的上半部与下半部。2.按照权利要求1所述的一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片，其特征在于所述梯形棱台结构，其上表面为边长600-1000微米的正方形，下表面为边长为200-400微米的正方形，深度为300-400微米；所述圆柱或长方体深度约400-500微米。3.按照权利要求1一种“漏斗”样三维细胞聚集培养芯片的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：(1)在玻璃或硅片基底表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦建华，魏文博，刘海涛，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁,21