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具有异质结和改进的沟道控制的FinFET制造技术
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文档序号:19431684
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本公开的实施例涉及具有异质结和改进的沟道控制的FinFET。粗略地描述,一种计算机程序产品描述了具有鳍、鳍支撑部、栅极和栅极电介质的晶体管。鳍包括第一晶体半导体材料,该第一晶体半导体材料包括在第一晶体管的源极区域和该晶体管的漏极区域之间的该...
该专利属于美商新思科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过美商新思科技有限公司授权不得商用。
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