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一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底，一个第二导电类型的本体区，一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，一个轻掺杂源极区和一个形成在本体区中的重掺杂源极区，以及一个延伸到本体...
该专利属于万国半导体（开曼）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体（开曼）股份有限公司授权不得商用。

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