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介电掺杂且富含锑的GST相变存储器制造技术
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下载介电掺杂且富含锑的GST相变存储器的技术资料
文档序号:19431480
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提出的相变存储器材料为介电掺杂、富含锑(antimony‑rich)的GST家族材料,其相对于GST‑225具有较多的锑,此材料具有速度、保持、及耐受特性,适于储存级数据储存装置。一种存储装置包含含有多个存储单元的一阵列。各个存储单元包含一...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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