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本发明提供一种快闪存储器及其制造方法，所述制造方法，在刻蚀开口中的浮栅层之前，先对所述开口中的浮栅层进行势垒杂质掺杂，且所述掺杂的势垒杂质延伸至所述第一侧墙的部分底部下方的浮栅层中，以将浮栅层划分为势垒掺杂的浮栅层和非势垒掺杂的浮栅层，进而...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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