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一种半导体器件包括：在基板上的绝缘层；在绝缘层上的沟道区；在绝缘层上的栅结构，该栅结构交叉沟道区；在绝缘层上的源/漏区，该源/漏区彼此间隔开并且栅结构插置在其间，该沟道区使源/漏区彼此连接；以及接触插塞，分别连接到源/漏区。沟道区可以包括在...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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