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本发明公开了一种具有HKMG的半导体集成电路，包括：半导体器件形成于FDSOI衬底结构上，HKMG的功函数层的功函数大小趋于所述顶部半导体层的禁带宽度中间值；FDSOI衬底结构具有半导体器件的阈值电压的调节结构。半导体器件的阈值电压的调节结...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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