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本发明公开了一种低压触发高维持电压可控硅整流器静电释放器件，包括P型衬底；P型衬底中设有第一N阱、P阱；第一N阱中设有第一N+注入区、第一P+注入区；P阱中设有第二N阱、第三N+注入区、第三N阱、第二P+注入区；第一N阱和P阱之间跨接有第二...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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