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半导体器件的制造方法技术
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文档序号:19431101
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本发明公开了一种半导体器件,其包括:衬底,其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区;以及栅极结构,其形成在衬底上,以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极,p型金属栅电极从...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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