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本发明公开一种改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法，其步骤包含形成一低介电材料层以及在所述低介电(low‑k)材料层上形成与其接触的一氮氧化硅(SiON)层，其中形成所述氮氧化硅层的步骤包含先对所述低介电材料层的表面进行一原位氦处理，...该专利属于联芯集成电路制造（厦门）有限公司;联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联芯集成电路制造（厦门）有限公司;联华电子股份有限公司授权不得商用。