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本发明提供一种制作不同深度隔离沟槽的方法，在包含第一区域和第二区域的衬底上依次形成衬垫氧化层和掩膜层，其中第二区域待形成的隔离沟槽的孔径大于第一区域待形成的隔离沟槽的孔径，第二区域待形成的隔离沟槽的密度分布小于第一区域待形成的隔离沟槽的密度...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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