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一方法包括形成第一开口于基板上的介电层中、以导电阻挡层内衬上述第一开口的数个侧壁及底部以及沉积籽晶层于上述导电阻挡层之上。上述方法亦包括以等离子体工艺处理上述籽晶层，以及于处理上述籽晶层之后，以导电材料填充上述第一开口。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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