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本申请提供了一种纳米线沟道制作方法，在该方法中，作为纳米线沟道的纳米线是由一次外延生长的第三材料层通过后续刻蚀形成的。而且，随着外延材料的生长，外延材料与衬底之间的晶格失配越来越小，外延生长由异质生长机理变为同质生长机理，如此，使得生成的晶...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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