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本发明公开了一种具有载流子存储区的沟槽栅器件结构及其制造方法，该沟槽栅器件结构，包括半导体衬底或外延层，所述半导体衬底或外延层表面向下延伸设置有一组沟槽栅，所述沟槽栅的外侧设置有第一掺杂区域，第一掺杂区域内掺杂形成与半导体衬底或外延层具有相...
该专利属于安徽省祁门县黄山电器有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽省祁门县黄山电器有限责任公司授权不得商用。

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