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本发明提供一种制造半导体存储器装置的方法，包含：在半导体衬底上形成位线和位线封盖图案；形成覆盖位线封盖图案的侧壁和位线的侧壁的第一间隔物；形成与第一间隔物的侧壁接触且具有低于第一间隔物的上部末端的顶部表面的接触塞；移除第一间隔物的上部部分；...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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