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本发明公开了一种4H‑SiC在制备高压压砧中的应用。本发明将4H‑SiC用于制备高压压砧，进而用于高压下红外吸收光谱分析、高压下紫外‑可见吸收光谱分析和高压下拉曼光谱分析。和现有技术相比，本发明的有益效果在于：利用光谱学方法表征材料在高压环...
该专利属于北京高压科学研究中心所有，仅供学习研究参考，未经过北京高压科学研究中心授权不得商用。

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