4H-SiC在制备高压压砧中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种4H‑SiC在制备高压压砧中的应用。本发明专利技术将4H‑SiC用于制备高压压砧，进而用于高压下红外吸收光谱分析、高压下紫外‑可见吸收光谱分析和高压下拉曼光谱分析。和现有技术相比，本发明专利技术的有益效果在于：利用光谱学方法表征材料在高压环境下的结构、性质时，使用4H‑SiC压砧可以弥补金刚石压砧的不足，甚至远远优于金刚石压砧。4H‑SiC作为高压加载材料一方面大大节约天然资源；另一方面与天然金刚石压砧相比较，使用廉价的人造4H‑SiC制作压砧可以大大促进高压科学研究广泛开展。

Application of 4H-SiC in preparation of high pressure anvil

The invention discloses an application of 4H SiC in preparing high-pressure anvil. The 4H_SiC is used to prepare high pressure anvil, and then used for infrared absorption spectrum analysis under high pressure, ultraviolet-visible absorption spectrum analysis under high pressure and Raman spectrum analysis under high pressure. Compared with the prior art, the beneficial effect of the present invention is that when the structure and properties of materials are characterized by spectroscopy under high pressure environment, the use of 4H_SiC anvil can compensate for the deficiency of diamond anvil, and even is far superior to that of diamond anvil. As a high-pressure loading material, 4H_SiC can greatly save natural resources. On the other hand, compared with natural diamond anvil, the use of cheap artificial 4H_SiC anvil can greatly promote the extensive development of high-pressure scientific research.

【技术实现步骤摘要】
4H-SiC在制备高压压砧中的应用
本专利技术属于高压实验装置
，尤其涉及一种4H-SiC超硬材料在制备高压压砧中的应用。
技术介绍
金刚石压砧是现有高压实验中传统的加载装置，利用金刚石压砧能产生极高压力，同时由于金刚石对高能X射线、近紫外，可见光和红外光等透明，且没有磁性、电绝缘，因此可以在表征材料高压下的结构、性质时用作压砧，在高压光谱学表征材料时具有极其重要的地位。但是由于金刚石本身光学性质的限制，高压实验中样品信号可能会受到金刚石压砧信号的干扰。例如，当样品的拉曼信号和金刚石拉曼信号重合时，金刚石拉曼信号会淹没样品的拉曼信号；金刚石有强烈的红外吸收带，应用金刚石压砧做高压红外吸收实验时，在此波段没有任何样品信号通过，并且透光区透射率很小；在紫外-可见吸收光谱中，紫外可见吸收边更靠近长波一侧使可测试范围小，420nm（2.95eV）波长之前的所有光都被金刚石吸收，使得不能通过紫外-可见吸收光谱获得半导体材料带隙大于2.95eV的带隙宽度。此外，金刚石资源有限，价格很高，也大大限制了金刚石压砧的广泛应用。科学家曾尝试利用6H-SiC用作高压加载材料，但是由于生产工艺限制，6本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种4H‑SiC在制备高压压砧中的应用。

【技术特征摘要】
1.一种4H-SiC在制备高压压砧中的应用。2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，高压压砧用于高压下红外吸收光谱分析、高压下紫外-可见吸收光谱分析和高压下拉曼光谱分析。3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王霖，张金波，
申请(专利权)人：北京高压科学研究中心，
类型：发明
国别省市：北京,11