温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供半导体装置的形成方法。上述方法包含在栅极电极层内形成开口，以形成两个分开的栅极电极层。上述方法亦包含在两个分开的栅极电极层之间的区域执行氧化或氮化处理。上述方法还包括在两个分开的栅极电极层之间的开口内形成第一绝缘层。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。