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本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：半导体衬底；外延层，覆盖所述半导体衬底的表面，所述外延层具有第一导电类型；第一纳米线，悬空设置在所述外延层的上方；第二纳米线，悬空设置在所述外延层的上方，并与所述第一纳米线间隔设置；第一...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。