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半导体元件制造技术
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文档序号:19324550
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一种半导体元件,其包括基底、第一掺杂区、第二掺杂区、隔离结构与栅极结构。基底包括第一区及与第一区相连的第二区。第一掺杂区具有第一导电型,位于基底中且包括第一螺旋状区域及块状区域。第二掺杂区具有第一导电型,位于基底中且包括第二螺旋状区域及外围...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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