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本发明提供一种衬底处理方法及通过所述衬底处理方法制造的半导体器件，所述衬底处理方法可防止在具有台阶式结构的垂直与非器件中选择性地沉积接地焊盘的工艺中沉积在每一台阶上的接地焊盘的厚度不均匀，其包括：将包括绝缘层与牺牲层的堆叠结构堆叠多次；及对...
该专利属于ASM知识产权私人控股有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASM知识产权私人控股有限公司授权不得商用。

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