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三维半导体器件制造技术
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下载三维半导体器件的技术资料
文档序号:19324455
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一种三维半导体器件包括:顺序堆叠在基板上的栅电极;穿过栅电极并且连接到基板的沟道结构;绝缘间隙填充图案,提供在沟道结构内并且当在俯视图中看时被沟道结构围绕;以及导电图案,在绝缘间隙填充图案上。绝缘间隙填充图案的至少一部分被接收在导电图案中,...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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